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股市实战(gssz)
转发11日,我国拥有自主知识产权的三维NAND闪存芯片首套生产机台,在位于光谷科技未来城的国家存储器基地进场安装。这标志着国家存储器基地已进入生产准备阶段,可望在年内实现32层三维NAND闪存芯片量产。紫光集团全球执行副总裁、长江存储执行董事长高启全透露,今年将量产的产品,是于去年成功研发的中国首颗32层三维NAND闪存芯片。就在两天前(4月9日),这颗耗资10亿美元、由1000人团队历时2年自主研发的芯片,获得中国电子信息博览会(CITE2018)金奖。这是我国在制造工艺上最接近国际高端水平的主流芯片,将有望使中国进入全球存储芯片第一梯队,有力提升“中国芯”在国际市场的地位。长期以来,全球闪存芯片市场话语权被三星、东芝、镁光等美、日、韩企业把控。去年6月,三星已宣布64层NAND闪存开始大规模量产。这些技术和产品,将推动以TB为单位的固态盘以及128GB以上的手机闪存迅速普及。有数据显示,2017年全球闪存芯片销量超过500亿美金,同比增加45%,预计2020年销量超过1000亿美金,中国市场进口超过半数,中国企业自主生产的存储芯片基本上是空白。随着需求量的激增,近3年来,全球存储芯片的价格不断上涨。作为电子产品的制造大国和消费大国,中国通用存储器需求占全球产能的50%。三维NAND闪存芯片多用于手机、高性能服务器,目前全部依赖进口。由紫光集团联合国家集成电路产业投资基金、湖北集
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汇金犇犇:
发表于 2018-04-1413:27:54假如现在贸易战导致逆差,然后导致我国基础货币继续萎缩。这个危机有多大?估计很难被评估出来。股海多娇:
有道理!
汇金犇犇:
最炫不过是彩虹:
你里面有个汇金格格也是你?