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中国中冶(601618)
130亿元投资相变存储，加快速度打造新一代存储器产业基地电子发烧友网工程师 ? 2018年06月15日 09:20 ? 832次阅读 0最近几年，随着相关政策的全面落地推广执行，在国家的大力支持下，我国芯片产业发展取得了重大突破，芯片产业也不断迎来成长的新拐点！但不得不面对的现实是，我国的芯片产业还处在起步阶段，尤其在DRAM领域中，巨大的市场被国外的巨头瓜分，仅仅是三星、SK海力士和镁光三家公司就占据了全球内存市场95%的份额。中国要想在内存市场突破封锁并不容易，尽管有紫光、长鑫、兆易创新等公司投身存储芯片市场，但国内现有的DDR内存技术还仅仅是入门而已！130亿元投资相变存储，加快速度打造新一代存储器产业基地新型技术的出现相变存储（Phase Change Memory，PCM）是诸多号称能“改变未来”的新内存技术之一，拥有接近DRAM的速度、远超过快闪内存的使用寿命，以及不供电也能保存资料的特性。通常被成为PCM或相变RAM的这种技术，是通过加热的方法改变硫属化物玻璃（chalcogenide glass）的晶体状态，从而实现信息的存储。在某些方面来说，它和忆阻体有点像，都是利用物质的电阻高低值来存储信息，只是真正的忆阻体是用电压来控制物质的电阻，而相变内存用的却是温度。研究结果显示，在0.5THz强度的电脉冲情况下，仅需几皮秒(1秒等于1012皮秒)相变内存就能产生用于存储
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炎黄两帝：
【重大研发突破】中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在存储器材料研发上取得重大突破，宋志棠团队通过努力，以“ 钪”代替了世界通用的“锗”研发出"钪锑碲"新型存储材料。宋志棠表示，" 钪元素与碲元素可以形成稳定的八面体，这对实现高速、低功耗存储至关重要。基于"钪锑碲"材料的新型存储器可实现700皮秒的高速存储操作，循环使用寿命大于1000万次。”
"钪锑碲"新型材料的存储器，操作功耗较原通用材料("锗锑碲")降低了90%，且十年的数据保持力相当;通过进一步优化材料与微缩器件尺寸，其将给国产存储器综合性能带来大步提升。此外，随着近年各类电子设备的普及，使存储芯片的需求大增，也对其性能要求也不断提高，为此，各国专家都在努力研发存储芯片的制造材料。
而此次"钪锑碲"的成功研发，不单只是提升性能，对我国存储芯片信息安全的维护也起到重要的作用，因此，打破国际技术壁垒，拥有自主产权的"钪锑碲"其价值和意义都是非常重大的。关注中国中冶钪锑