(南大光电)被日美垄断的芯片行业最核心材料—光刻胶,国产替代计划全面开启 胖福的小木屋 发

2020年2月23日  10:29:59 来源:168炒股学习网  阅读:440人次
股友Lp
发表于 南大光电(300346)
被日美垄断的芯片行业最核心材料—光刻胶,国产替代计划全面开启 胖福的小木屋 发
被日美垄断的芯片行业最核心材料—光刻胶,国产替代计划全面开启胖福的小木屋发布时间:01-2011:35媒体人,优质原创作者众所周知,薄膜生长设备、蚀刻机、光刻机是芯片制造的三大核心设备,其中光刻机的技术难度最高,但是光刻机其实也有很多种类型,包括前道光刻机、后道光刻机、平板显示光刻机等,其中前道光刻机就是我们熟悉的ASML生产的光刻机,而后道光刻机主要用于芯片封装。
中国负责攻坚光刻机的是上微,而上微目前在技术难度较低的后道光刻机、平板显示光刻机上占领了国内80%的市场,但自从2007年研制出了我国首台90纳米高端投影光刻机,成为世界上第四家掌握高端光刻机技术的公司之后,上微目前还在攻坚45nm光刻机。
之所以会出现这样的情况是因为,由于光刻机需要大量采用外国关键元器件进行集成,在得知我国研制出光刻机后,外国公司默契的进行了关键元器件禁运,这导致了中国光刻机研制出现了困难,进度变慢。
其中光刻机最核心关键的材料之一就是光刻胶,光刻胶不仅仅是光刻机的核心材料,更是芯片制造中的关键且核心材料。
光刻胶是什么?光刻胶是由感光树脂、增感剂(见光谱增感染料)和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
光刻胶用于微小图形的加工,生产工艺复杂,技术壁垒较高。
我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模版上,然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模版上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。
而光刻根据所采用正胶与负胶之分,划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。
在正性光刻中,正胶的曝光部分结构被破坏,被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。
相反地,在负性光刻中,负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解,掩模部分则会被溶剂洗掉,使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。
光刻工艺的成本约为整个芯片
股友回答
n
股友n1
2020年2月23日
这个文章有价值!
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H
股友HU
2020年2月23日
中最牛的是南大光电,拟投资
6.56 亿元,3 年建成年产 25 吨 193nm(ArF 干式和浸没式)光刻胶生产线,该启动项目已获得国家 02
专项正式立项,南大光电研发的ArF光刻胶是目前仅次于EUV光刻胶以外难度最高,制程最先进的光刻胶,也是集成电路22nm、14nm乃至10nm制程的关键。一直是国内空白。研发此款光刻胶意在填补国内空白,实现芯片制造在关键工艺技术和材料技术的自主可控。
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股友大漠
2020年2月23日
技术帖
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股友喜从
2020年2月23日
开始生产193了没?
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股友爱博
2020年2月23日
南大光电,钱途无量.
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股友玫瑰
2020年2月23日
好文章,和我在行业看到的文章一样,南大广电在光刻胶这一块的技术是最强的
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股友玫瑰
2020年2月23日
炒股别当韭菜
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股友醉里
2020年2月23日
两三年以后
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股友牛在
2020年2月23日
全国唯一高端光刻胶
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