【逻辑阐述】
1、全球功率器件市场规模已超过400亿美金，国内市场空间更为广阔
2、功率器件需求持续旺盛，需求增速长期高于供给增速
3、进口替代成为国内功率半导体企业最大的成长逻辑
4、第三代化合物半导体给功率半导体市场带来新机遇
重点黑马公司300373扬杰科技、300623捷捷微电
功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心。
主要用于改变电子装置中电压和频率、直流交流转换等。
功率半导体可以分为功率 IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。
功率半导体被广泛应用于工业控制、消费电子、新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等领域。
【行业板块解析】
一、全球功率器件市场规模已超过400亿美金，国内市场空间更为广阔
1、全球功率半导体市场规模超400亿美元
2019年全球功率器件市场规模达到403亿美元，预计2021年将达到 441美元，年化增速为4.1%。
2、中国是最大功率半导体消费国，保持较高速度增长
中国占全球功率半导体市场需求比例接近38%。
预计未来中国功率半导体将继续保持较高速度增长，2021年市场规模有望达到159亿美元，年化增速达4.8%，高于全球市场增速。
二、功率器件需求持续旺盛，需求增速长期高于供给增速
1、三大分立器件的全球市场规模：MOSFET最大、IGBT次之，晶闸管较小
全球功率器件年复合增速将保持在3.56%，预计在2022年将达到2381亿元。
PMIC是功率器件最大的市场。
IGBT则增速最快，增长率达7.62%，但当前市场份额仅为13.67%，预计在2022年市场规模达390.5亿元。
MOSFET增速与全球功率器件增速接近，CAGR达3.42%，占据功率器件22%的市场份额，长期来看仍将保持重要地位，全球MOSFET市场规模预计在2022年达到523.5亿元。
晶闸管属于利基市场，增速低于全球功率器件市场增速，预计在2022年增长至57.5亿元。
2、晶闸管、MOSFET、IGBT需求增速均领先对应晶圆供给增速
由于MOSFET、IGBT多使用6英寸或8英寸晶圆，而晶闸管多使用6英寸及以下尺寸晶圆。
全球8英寸晶圆产能年复合增长率为2.89%，6英寸及以下尺寸的晶圆年复合增长率为1.18%，因此无论是晶闸管、MOSFET还是IGBT，其需求增速均大于供给增速，供给侧将保持长期紧张。
三、进口替代成为国内功率半导体企业最大的成长逻辑
1、政策、资金、人才多方面扶持，国内功率半导体企业快速发展
功率半导体行业集中度高，长期被国外厂商垄断，但近年来国产功率半导体厂商取得较大进步，从低端市场开始逐步向车用等高端运用市场渗透。
随着社会电气化的发展，我国成为全球功率半导体最大消费市场，国内孕育了一批功率半导体厂商，包括斯达半导体、华润微电子、士兰微等功率半导体厂商，并依托国内市场和政策切入市场，加速功率半导体国产化替代的进程。
2、外延并购助力功率半导体国产化
2008年株洲中车时代走出国门成功收购英国丹尼克斯半导体75%的股权，并在英国设立海外研发中心，成为我国第一家全面掌握IGBT 芯片技术研发、模块测试的厂商。
技术市场双轮驱动，中车时代完成 650V-6500V全谱系IGBT研发。
2016年以建广资产为主导的中国财团以27.6亿美元成功收购恩智浦标准件业务——安世半导体，2019年闻泰科技收购安世集团，成为安世半导体控股股东。
安世半导体是全球第八大MOSFET供应商，中国财团的收购将促进功率半导体，尤其是MOSFET的国产化水平。
四、第三代化合物半导体给功率半导体市场带来新机遇
第三代半导体材料是宽禁带半导体材料，其中最为重要的就是SiC和 GaN。
和传统半导体材料相比，更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
1、GaN功率器件应用范围广泛，随着成本降低市场空间持续放大
GaN材料电子饱和漂移速率最高，适合高频率应用场景，但是在高压高功率场景不如SiC；随着成本的下降，GaN有望在中低功率领域替代二极管、IGBT、MOSFET等硅基功率器件。
以电压来分，0-300V是硅材料占据优势，600V以上是SiC占据优势，300V-600V之间则是GaN材料的优势领域。
在0-900V的低压市场，GaN都有较大的应用潜力，这一块占据整个功率器件市场约68%的比重，按照整体市场154 亿美元来看，GaN潜在市场超过100亿美元。
2、SiC器件正在广泛地被应用在功率器件领域中，尤其是车用市场
SiC典型市场包括轨交、功率因数校正电源（PFC）、风电（wind）、光伏（PV）、新能源汽车（EV/HEV）、充电桩、不间断电源（UPS）等。
预计短期到2022年，SiC 仅在电动车用市场空间将快速成长到24亿美元，是2017年车用SiC整体收入（700万美元）的342倍。
【相关个股】
300373扬杰科技
逻辑一、持续优化产品结构，丰富产品种类
公司持续优化产品结构，丰富产品线，提高高端产品营收占比，公司成功开发并向市场推出了SGTNMOS和SGTPMOS N/P30V-150V等系列产品；持续优化TrenchMOS和SGTMOS系列产品性能并扩充规格、品种；快速部署低功耗MOS产品开发战略，积极配合国内外中高端客户，加速国产化替代进程，未来MOSFET将成为公司新的业务增长点之一。
同时，基于8英寸工艺的沟槽场终止1200V IGBT芯片系列及对应的模块产品开始风险量产，标志着公司在该产品领域取得了重要进展。
伴随着公司高端产品的占比逐渐提升，下游应用领域不断丰富，公司未来稳定增长可期。
逻辑二、募集项目布局智能终端用超薄微功率半导体芯片封测
公司拟使用募集资金13亿元投资智能终端用超薄微功率半导体芯片封测项目，进一步完善公司产品结构、提高行业竞争优势。
该项目将采用FBP平面凸点式封装、SOT小外形晶体管封装、SOD小外形二级管封装等封装技术，建成投产后将新增智能终端用超薄微功率半导体器件2000KK/月的生产能力，所生产的功率器件产品可广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等，在智能手机及穿戴设备等智能终端领域以及5G通信、微波通信领域有着广泛应用。
预计产能完全释放后正常年营业收入13.13亿元，利润总额2.08亿元，经济效益较好。
逻辑三、布局第三代半导体SiC器件，部分重点客户认证进展顺利
2019 年，公司继续大力开拓第三代半导体SiC器件的应用市场，部分重点客户认证过程进展顺利。
为公司长期的增长奠定良好基础。
300623捷捷微电
逻辑一、受益产品结构改善和产能提升，公司业绩保持稳步增长
公司在传统优势产品晶闸管和防护器件领域已实现IDM模式发展，部分产品已达到国际领先水平，随着募投产线的逐步投产，公司晶闸管和防护器件业务稳步增长，上半年该类业务预计增长超过10%。
同时新产品开拓顺利， MOSFET等新业务上半年增长超过30%，MOSFET产能与中芯绍兴建立战略合作，产能供给充足。
逻辑二、定增布局功率MOSFET、IGBT器件，长期看好高端产品结构改善
公司在晶闸管领域已经成为国内龙头，在市场份额上仅次于意法半导 体，是全球第二大厂商。
公司启动并实施定增项目，布局功率MOSFET、IGBT。
2020年3月，公司与中芯集成电路制造（绍兴）达成战略合作协议，主要负责MOSFET相关产品的设计和封测及产品推广，部分业务等同Fabless的模式。
公司MOSFET的客户与晶闸管的客户有所重叠，所以具有较好的客户基础。
未来公司MOS车规级的研发和突破进度将有望成为公司的新增长点。
【风险提示】
1、疫情对需求影响超预期
2、市场竞争趋于激烈
3、下游主要领域发展不及预期
（来源：百家云股）