网友提问：
云南锗业(002428)
锗材料有望取代砷化镓用于RF晶体管？ EET电子工程专辑2017年6月15日在本月初于日本举行的“超大规模集成电路技术暨电路会议”(2017 Symposia on VLSI Technology and Circuits)上，欧洲研究机构Imec发表论文介绍一种闸极环绕式(GAA)晶体管，其性能超越10nm以下节点的标准互补金属氧化物半导体(CMOS)，而且具有10亿分之一欧姆()电阻的源极/漏极触点。根据Imec，利用浅镓植入和脉冲雷射退火，可为p-MOS晶体管源极/漏极触点写下10亿分之一欧姆源/汲电阻率的新世界纪录。超快速的sub-10nm SiGe GAA晶体管在300毫米(mm)晶圆上使用应变锗p通道(p-channel)，展现其卓越的静电控制，并透过使用高压退火(HPA)实现，Imec并证明其可用于更传统的FinFET架构。Imec声称这是世界上第一个具有sub-10nm直径的微缩应变锗p-Channel GAA FET，整合于300mm晶圆的平台上。（来源：Imec）SiGe原则硅锗(SiGe)晶体管作为射频(RF)收发器的能力是众所周知的，因为它让收发器的甚余部份使用相同的CMOS技术，以避免使用晶格结构与硅不兼容的GaAs功率放大器(PA)。然而，在超越10nm的先进工艺节点上，尚未证明SiGe可成功用于FinFET或更先进的架构(如GAA FET)——至少不能
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股友ysEBmN：
锗价不上涨一切都是浮云。