网友提问：
海特高新(002023)
网友回复
逍遥谷001：
专业提问，专业回答
siyu748641：
我问的，董秘真是死鸭子汤滚肉烂嘴不烂，口风太严了
天天涨停来：
明天涨停
湘帅999：
看不懂……
知行合一荣森：
PHEMT的性能优点
在PHEMT的结构中还有一个i-InGaAs/i–GaAs异质结，该异质结的势垒高度(导带底的能量差)约为0.17eV;这样，就使得i-InGaAs沟道层成为了一个量子阱(底部倾斜的量子阱)，2-DEG即处于其中。因此，PHEMT中的2-DEG要比普通HEMT中的多受到一些限制(有势阱两边的双重限制作用)，从而具有更高的电子面密度(约高2倍);同时，这里的电子迁移率也较高(比GaAs中的高9 %)，因此PHEMT的性能更加优越。总之PHEMT具有双异质结的结构，这不仅提高了器件阈值电压的温度稳定性，而且也改善了器件的输出伏安特性，使得器件具有更大的输出电阻、更高的跨导、更大的电流处理能力以及更高的工作频率、更低的噪声等。
韭菜比韭黄强：
稳懋pHEMT工艺产品主要用于卫星通讯，相控阵雷达，光通讯IC