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全志科技(300458)
全志科技：合肥长鑫DRAM正式投产 国产存储迎来巨变来源：中金网 2018-07-22 09:34:03国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投产，产品规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储，国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破，为推动存储国产化掀开了重要一页。 机会情报.png 国产存储三大势力之一的合肥长鑫正式投产，产品规格为8Gb LPDDR4，这是国产DRAM产业的一个里程碑，加上早前宣布在3D NAND Flash取得进展的长江存储，国内企业在国际主流存储器上都取得了重大突破，为推动存储国产化掀开了重要一页。 动态随机存取存储器（DRAM）因为其应用的广泛性和重要性，是电子产品必不可少的一种重要半导体元件。据IHS Markit数据，2017年全球DRAM市场规模为722亿美元，较2016年增长74%。2020年全球存储器市场规模将达1000亿美元。 目前全球存储市场几乎被三星、美光、海力士等五家厂商瓜分，但国内几乎处于空白。业内认为，此次合肥长鑫DRAM正式投片，中国企业开始打破垄断，打造自主可控存储芯片，相关公司有望受益国产化进程。 相关概念股： 兆易创新（603986）：国内存储龙头，是A股中技术最为先进的存储厂商；NORFlash、NAND Flash及MCU为主要产
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股市前途无量：
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