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(中国中冶)科技湃 中科院研发出新型相变材料:突破数据读写存储速度极限 聂翠蓉/科技日报 2

2018年7月27日  10:54:31 来源:168炒股学习网  阅读:1615人次

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中国中冶(601618)

科技湃中科院研发出新型相变材料:突破数据读写存储速度极限聂翠蓉/科技日报2017-11-16 08:26字号科技日报北京11月15日电,据《科学》杂志官网14日报道,中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金,可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。发表在本周出版的《科学》杂志上的这一研究成果,突破了相变存储器(PCRAM)的存储速度极限,为实现我国自主通用存储器技术奠定了基础。经过几十年的发展,计算机已经变得更小、更快、更便宜,存储性能继续提升所面临的挑战也更加严峻。静态/动态随机存储器(SRAM缓存/DRAM内存)是与计算机中央处理器直接交换数据的临时存储媒介,可按需随意取出或存入数据。本世纪初,科学家就已经提出PCRAM是一种很有前途的新型非易失性存储器,通过在两种相态之间转换,分别代表“0”和“1”进行存储。现有最普遍使用的相变材料是锗锑碲合金(GST),为符合当今计算机的高速随机存储的需求,相态转换必须在亚10纳秒内完成,而锗锑碲合金的相变速度通常需要几十至几百纳秒,太慢导致无法媲美或替代传统的DRAM和SRAM存储器。饶峰和同事通过理论计算,向锑碲合金加入过渡族金属,筛选出能在更高温度下通过形成更加稳定的钪碲化学键加速晶核形成的钪锑碲合金。他们还合成出这一新型相变材料,并通过实验证明,新材料能在700皮秒(

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炎黄两帝:

新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现.关注中冶最大氧化钪
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现 2017-11-13 16:3

炎黄两帝:

在曹妃甸钢铁电力园区,中冶瑞木新能源科技有限公司项目正在加快建设。项目规划占地604亩,总投资36.9亿元。一期项目年生产高镍三元前驱体NCM622 4万吨、副产品高纯氧化钪20吨,2018年底建成投产,这是国内最大的在建高镍三元前驱体项目。二期工程年生产高镍锂离子电池三元正极材料前驱体NCM811 6万吨、副产品高纯氧化钪40吨,计划于2019年启动。两期项目投产后预计将实现年产值60亿元,年利税10亿元。

炎黄两帝:

发表于 2018-07-2621:29:19重磅!!!恩菲“超高纯四氯化硅技术研发项目”通过科技成果鉴定
来源:中国恩菲 作者:胡美佳 发布时间:2018年01月11日 访问量:1
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  1月9日上午,中国电子材料行业协会组织行业专家对中国恩菲和中硅高科共同承担的“超高纯四氯化硅技术研发项目”进行成果鉴定。
  该项目于2015年10月10日得到河南省科技厅审批,随后,中国恩菲依托中硅高科,发挥强大的研发团队和持续的技术研发能力,结合已有四氯化硅提纯工艺技术,经过2年潜心研发,该项研发成果已经得到了应用实践检验。依据项目实施计划,中国电子材料行业协会组织行业有关专家,对中硅高科“超高纯四氯化硅技术研发项目”进行了成果鉴定。
  鉴...

炎黄两帝:

发表于 2018-07-2621:32:13!!!恩菲“超高纯四氯化硅技术研发项目”通过科技成果鉴定
来源:中国恩菲 作者:胡美佳 发布时间:2018年01月11日 访问量:1
+.-
  1月9日上午,中国电子材料行业协会组织行业专家对中国恩菲和中硅高科共同承担的“超高纯四氯化硅技术研发项目”进行成果鉴定。
  该项目于2015年10月10日得到河南省科技厅审批,随后,中国恩菲依托中硅高科,发挥强大的研发团队和持续的技术研发能力,结合已有四氯化硅提纯工艺技术,经过2年潜心研发,该项研发成果已经得到了应用实践检验。依据项目实施计划,中国电子材料行业协会组织行业有关专家,对中硅高科“超高纯四氯化硅技术研发项目”进行了成果鉴定。
  鉴定委...
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