网友提问：
海特高新(002023)
5G将于2020年将迈入商用，加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势，将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计，2018年全球SiC基板产值将达1.8亿美元，而GaN基板产值仅约3百万美元。拓墣产业研究院指出，相较目前主流的硅晶圆(Si)，第三代半导体材料SiC及GaN除了耐高电压的特色外，也分别具备耐高温与适合在高频操作下的优势，不仅可使芯片面积可大幅减少，并能简化周边电路的设计，达到减少模组、系统周边的零组件及冷却系统的体积。除了轻化车辆设计之外，因第三代半导体的低导通电阻及低切换损失的特性，也能大幅降低车辆运转时的能源转换损失，两者对于电动车续航力的提升有相当的帮助。因此，SiC及GaN功率组件的技术与市场发展，与电动车的发展密不可分。然而，SiC材料仍在验证与导入阶段，在现阶段车用领域仅应用于赛车上，因此，全球现阶段的车用功率组件，采用SiC的解决方案的面积不到千分之一。另一方面，目前市场上的GaN功率组件则以GaN-on-SiC及GaN-on-Si两种晶圆进行制造，其中GaN-on-SiC在散热性能上最具优势，相当适合应用在高温、高频的操作环境，因此以5G基站的应用能见度最高，预期SiC基板未来五年在通过车厂验证与2020年5G商用的带动下，将进入高速成长期。第三代半导体材料将进入高速成长期 5G/汽车电子正在路上尽管GaN
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nskyd：
产值将达1.8亿美元，还不够一个公司的营业，