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中国中冶(601618)！！钪锑碲是制造相变存储器的核心原材料。 中冶全球最大氧化钪锑碲生产商
！！钪锑碲是制造相变存储器的核心原材料。中冶全球最大氧化钪锑碲生产商
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炎黄两个：
重磅消息.钪……未来己来！钪锑碲合金近期在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功，副研究员饶峰和他的团队共同完成了这一成果。这种材料可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。这种材料的巨大作用在哪里呢？就是和大家生活息息相关的存储系统。
当然中国 研制这种材料的基本目的是为了为现有的DRAM和SRAM存储器寻求替代者。中国的相变存储器（PCRAM）之所以不能从根本上替代传统的存储器主要是因为存储速度受到影响，一旦这种新材料应用那么速度问题将迎刃而解。
大家都知道今年以来DRAM存储器被韩国垄断，价格开始了疯长的状态，韩国利用技术垄断漫天要价，不仅仅让大型装备处理器使用遭遇瓶颈，更是直接给广大民众的日常使用体验造成了挑战，不少网友抱怨今年这价格涨的都不敢换内存了。
大家都知道现代装备都是智能装备，智能处理已经成为高端装备的基本特征，如果内存长期被他国垄断，不仅仅造价问题，而且在特殊情况下还可能遭遇卡脖子。可以说这次内存异常上涨事件已经给我们敲响了警钟。这次我们取得材料突破，意味着在相变存储器（PCRAM）方面卖出了关键一步。
公开数据可知，PCRAM相变存储器不仅综合了目前半导体存储器市场上主流的DRAM、SRAM和FLASH等存储器的优良特性，而且还具有微缩性能优越、非挥发性、循环寿命长、数据稳定性强、功耗低、体积小等诸多优势。中国材料速度的提升将会促力相变存储器替代现有高速存储器进入实用，助推计算机整体性能的大幅提升，向更快速、更低功耗、更长寿命方向发展。全球最大的高纯氧化钪研发及生产基地、此项目是中冶集团发展的分水岭标志着进入一个新的发展阶段
来源：中冶集团 作者：宋树涛 发布时间：2017年10月24日 访问量：
重磅消息.钪……未来己来！钪锑碲合金近期在中国科学院上海微系统与信息技术研究所研制成功，副研究员饶峰和他的团队共同完成了这一成果。这种材料可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。这种材料的巨大作用在哪里呢？就是和大家生活息息相关的存储系统。
当然中国 研制这种材料的基本目的是为了为现有的DRAM和SRAM存储器寻求替代者。中国的相变存储器（PCRAM）之所以不能从根本上替代传统的存储器主要是因为存储速度受到影响，一旦这种新材料应用那么速度问题将迎刃而解。
大家都知道今年以来DRAM存储器被韩国垄断，价格开始了疯长的状态，韩国利用技术垄断漫天要价，不仅仅让大型装备处理器使用遭遇瓶颈...
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天河应用创新发展 “天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表。
成果信息
饶峰、张伟等人聚焦相变存储器（PCRAM）技术领域，提出了一种全新的超高速相变材料设计方案，即：通过降低非晶相变薄膜形核的随机性实现超高速亚纳秒级结晶化（写）操作。通过理论模拟，设计了新型相变材料钪锑碲（SST）合金，利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程，显著地降低了形核过程的随机性，大幅加快了结晶化（写）操作速度，达到了0.7纳秒的高速可逆操作，循环寿命大于107次。
与传统锗锑碲（GST）器件相比，钪锑碲（SST）器件的操作功耗降低了近10倍，通过材料模拟计算，阐明了超快结晶化以及超低功耗的微观机理。这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义，并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了坚实的基础。
新型钪锑碲相变存储器件-0.7纳秒的高速写入操作及其相变机理
上述研究工作获得了国家自然科学基金项目、深圳市基础研究项目、中科院战略性先导科技专项等项目资助。饶峰教授为论文第一、通讯作者，丁科元博后为共同第一作者。论文的计算工作得到了国家超级计算天津中心的大力支持。
来源：国家超级计算天津中心
天河应用创新发展 “天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表...
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学习情况：
2016年6月至2018年6月，西安交通大学微纳中心，从事基于第一性原理的材料模拟计算研究，并以此来深入理解相变存储材料的基本性质和进行相关的新型先进材料的设计。所设计的电子相变材料分别从（1）存储速度和（2）耐用性、能耗两个方面大大提高了现有相变材料的性能。
在Science发表学术论文一篇（影响因子：41.058）；获得西安交通大学2018届校优秀毕业生称号；毕业设计被评选为2018届校级优秀毕业设计；2018年9月至今完成学术论文一篇，文章已投稿至Nature Nanotechnology（影响因子：37.490）（等待审核）
个人自述：
我是来自材料学院硕8017班的周宇星。本科就读于西安交通大学材料学院。我在大二下学加入到材料学院微纳中心的张伟教授的研究团队中，对相变存储材料开展相关研究。从大二的暑假开始，我利用基于第一性原理的计算模拟，在纳米级别的原子尺度上，对硫族相变化合物的电子、结构、动力学等诸多性质展开研究。在张伟教授的指导下，从元素的基本性质和材料的基本结构出发，深入理解材料的微观行为，利用模拟计算的手段，我们课题组于去年设计出了新型相变材料钪锑碲（Sc0.2Sb2Te3，简称SST），并通过基于第一性原理的分子动力学计算，分析其微观结构，还原其亚纳秒级别的形核结晶过程，并对其超快速形核结晶的机理给出了解释。随后在我们合作方的努力下，成功合成出了SST合金并制备了相应电子器件。通过实验证明，其实际的形核结晶速率突破了现有相变存储材料的纳秒级别，实现了最快700皮秒的快速结晶。这一工作于2017年11月以研究性论文的形式在世界顶级期刊Science上（影响因子：41.058）被刊登出来。我为该工作的共同第一作者。这个工作受到国内外，特别是相变材料领域各个专家学者的高度重视和称赞，多位国外的专家学者特别撰文表达了这项工作所体现的重要科研意义和潜在的工业价值。
学习情况：
2016年6月至2018年6月，西安交通大学微纳中心，从事基于第一性原理的材料模拟计算研究，并以此来深入理解相变存储材料的基本性质和进行相关的新型先进材料的设计。所设计的电子相变材料分别从（1）存储速度和（2）耐用性、能耗两个方面大大提高了现有相变材料的性能。
在Science发表学术论文一篇（影响因子：41.058）；获得西安交通大学2018届校优秀毕业生称号；毕业设计被评选为2018届校级优秀毕业设计；2018年9月至今完成学术论文一篇，文章已投稿至Nature Nanotechnology（影响因子：37.490）（等待审核）
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我是来自材料学院硕8017班的周宇星...
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天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表。
成果信息
饶峰、张伟等人聚焦相变存储器（PCRAM）技术领域，提出了一种全新的超高速相变材料设计方案，即：通过降低非晶相变薄膜形核的随机性实现超高速亚纳秒级结晶化（写）操作。通过理论模拟，设计了新型相变材料钪锑碲（SST）合金，利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程，显著地降低了形核过程的随机性，大幅加快了结晶化（写）操作速度，达到了0.7纳秒的高速可逆操作，循环寿命大于107次。
与传统锗锑碲（GST）器件相比，钪锑碲（SST）器件的操作功耗降低了近10倍，通过材料模拟计算，阐明了超快结晶化以及超低功耗的微观机理。这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义，并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了坚实的基础。
新型钪锑碲相变存储器件-0.7纳秒的高速写入操作及其相变机理
上述研究工作获得了国家自然科学基金项目、深圳市基础研究项目、中科院战略性先导科技专项等项目资助。饶峰教授为论文第一、通讯作者，丁科元博后为共同第一作者。论文的计算工作得到了国家超级计算天津中心的大力支持。
来源：国家超级计算天津中心
天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表。
成果信息
饶峰、...
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饶峰、张伟等人聚焦相变存储器（PCRAM）技术领域，提出了一种全新的超高速相变材料设计方案，即：通过降低非晶相变薄膜形核的随机性实现超高速亚纳秒级结晶化（写）操作。通过理论模拟，设计了新型相变材料钪锑碲（SST）合金，利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程，显著地降低了形核过程的随机性，大幅加快了结晶化（写）操作速度，达到了0.7纳秒的高速可逆操作，循环寿命大于107次。
与传统锗锑碲（GST）器件相比，钪锑碲（SST）器件的操作功耗降低了近10倍，通过材料模拟计算，阐明了超快结晶化以及超低功耗的微观机理。这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义，并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了坚实的基础。
新型钪锑碲相变存储器件-0.7纳秒的高速写入操作及其相变机理
上述研究工作获得了国家自然科学基金项目、深圳市基础研究项目、中科院战略性先导科技专项等项目资助。饶峰教授为论文第一、通讯作者，丁科元博后为共同第一作者。论文的计算工作得到了国家超级计算天津中心的大力支持。
来源：国家超级计算天津中心
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IBM新型8位模拟芯片发布:投影相变存储器加持
2018-12-05 11:29:37
IBM新型8位模拟芯片发布:投影相变存储器加持
12月3日，在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议上，IBM的一份报告介绍了一种新的8位模拟芯片。但真正的发展并不是模拟芯片能够赶上数字芯片，而是完全重新思考芯片架构。该芯片是第一个执行8位计算的芯片，用于存储信息。
12月3日，在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议上，IBM的一份报告介绍了一种新的8位模拟芯片。但真正的发展并不是模拟芯片能够赶上数字芯片，而是完全重新思考芯片架构。该芯片是第一个执行8位计算的芯片，用于存储信息。
这项研究的首席研究员Abu Sebastian（来自IBM苏黎世研究中心）说，在传统的冯诺依曼芯片架构中，数据不断地在内存和处理器之间穿梭，这消耗了宝贵的能量和时间。内存计算是降低功耗同时提高性能的合乎逻辑的下一步。这方面的进步对于硬件跟上人工智能的发展是必要的。
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IBM的新型模拟芯片是基于相变存储器的。关键成分是一种可以对电流作出反应而发生相变的材料。它们通常是锗、碲和锑的合金。在导电的那个相中，原子排列得很整齐。在另一个不导电的相中，原子四处运动，被电流局部加热，变得杂乱无章。
两个电极之间的相变材料不会像0和1那样在有序和杂乱的排列之间完全切换。相反，在任何时间点，都是两种排列的混合：材料的总电阻取决于原子杂乱排列的区域的大小。
Sebastian说：“我们正在根据原子排列对信息进行编码。”例如，神经网络的权重可以以相变存储器设备中的电阻的方式来存储和访问。
但这些电阻存在漂移和波动的问题。因为当读取信息时电流通过相变材料，所以原子排列杂乱的区域每次都会改变一点——这限制了这种器件的精度和实用性。
为了解决这个问题，IBM的研究人员给相变存储器引入了一个所谓的投影段（projection segment）。投影段是该团队在2015年首次提出的，它是一个金属氮化物导电层，包裹着相变材料芯，并在电极之间平行于相变材料芯运行。投影段将信息的写入和读取过程分开。
这个投影段在写入信息时不做任何事情；所有的电流都会流过相变材料而调整原子排列杂乱的区域。但是，当检索信息时，电流流过投影段并绕过原子排列杂乱的区域，使它们保持不变，并保留所存储的信息。Sebastian说：“这是关键的创新。”
研究人员在一个包含有30个相变存储器的8位芯片上测试了单层神经网络，以识别数字1、0和4的图像，测试结果达到了100%的分类精度。虽然现在还为时过早，但Sebastian估计，与传统计算相比，这一进展可能为未来的设备带来100至1000倍的节能效果。
传统计算追求的是精确度，而随着人工智能的发展，现在有与之相反的计算追求。IBM当天还介绍了一种数字芯片，它也是8位的，同时在神经网络训练中保持了高准确性。这种神经网络更进一步地模拟人脑，而人脑通常可以从很少的信息中得出正确的结论。
IBM负责研究的副总裁Jeff Welser这比作从一个雾蒙蒙的窗户往外看，看到一个模糊的人朝你家走来。“只要你认得出那是你的妈妈，图像的精度有多低都没有关系，”Welser说，“你得到了你所需的正确信息。”
IBM新型8位模拟芯片发布:投影相变存储器加持
2018-12-05 11:29:37
IBM新型8位模拟芯片发布:投影相变存储器加持
12月3日，在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议上，IBM的一份报告介绍了一种新的8位模拟芯片。但真正的发展并不是模拟芯片能够赶上数字芯片，而是完全重新思考芯片架构。该芯片是第一个执行8位计算的芯片，用于存储信息。
12月3日，在旧金山举行的IEEE国际电子器件会议上，IBM的一份报告介绍了一种新的8位模拟芯片。但真正的发展并不是模拟芯片能够赶上数字芯片，而是完全重新思考芯片架构。该芯片是第一个执行8位计算的芯片，用于存储信息。
这项研究的首席研究员Abu ...
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相变存储设备速度快捷的新认识
航空工业信息网 作者：余跃2018-12-07业界新闻
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模式
】美国亚利桑那州立大学分子科学学院的科学家及德国科学家对于相变存贮器材料比当前闪存材料更加持久耐用、并且运行速度还要快千倍这一问题做出了进一
【据美国亚利桑那州立大学2018年11月30日报道】美国亚利桑那州立大学分子科学学院的科学家及德国科学家对于相变存贮器（PCM）材料比当前闪存材料更加持久耐用、并且运行速度还要快千倍这一问题做出了进一步的解释。研究人员使用准弹性中子散射技术（QENS）研究了液态PCM材料的微观动态，发现当锗锑碲以1:2:4的比例混合时，其密度最大值和金属非金属跃迁均在熔点之下，并且跃迁比其他硫化物混合物更为迅捷。据此研究人员认为，材料响应函数的极值波动导致材料结晶极为快速，结晶温度越高，材料金属态密度越大。研究人员表示，“跃迁面之上液体呈流动状导致结晶极为快速，跃迁面之下液体快速变硬导致室温下形状不规则、导电性低”，接收计算机编程的热脉冲指令后，纳米比特可在纳秒级的时间水平上由无限稳定状态瞬间结晶成导电状态。
相变存储设备速度快捷的新认识
*本文作者，由飞机E族FEIJIZU合作伙伴航空工业信息网 作者：余跃授权发布，转载请联系原出处。如内容、图片有任何版权问题，请联系飞机E族处理。
相变存储设备速度快捷的新认识
航空工业信息网 作者：余跃2018-12-07业界新闻
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】美国亚利桑那州立大学分子科学学院的科学家及德国科学家对于相变存贮器材料比当前闪存材料更加持久耐用、并且运行速度还要快千倍这一问题做出了进一
【据美国亚利桑那州立大学2018年11月30日报道】美国亚利桑那州立大学分子科学学院的科学家及德国科学家对于相变存贮器（PCM）材料比当前闪存材料更加持久耐用、并且运行速度还要快千倍这一问题做出了进一步的解释。研究人员使用准弹性中子散射技术（QENS）研究了液态PCM材料的微观动态，发现当锗锑碲以1:2:4的比例混合时，其密度...
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(中国中冶)高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现 2017-11-13 16:30
2018年8月12日 11:36:51 来源：168炒股学习网 编辑：168炒股学习网
小标签： 市净率高好还是低好 股票k线图分析 短线选股 股市二八现象 如何追涨停板 如何选股 股票停牌
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中国中冶(601618)
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现2017-11-13 16:30 操作系统/PC/技术集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存储技术迫在眉睫。中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司，选择以嵌入式相变存储器（ PCRAM ）为切入点，在国家重点研发计划纳米科技重点专项、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项、国家自然科学基金、中科院A类战略性先导科技专项、上海市领军人才、上海市科委等项目的资助下，经过十余年的研究，在存储材料筛选、嵌入式器件设计、PCRAM 的基础制造技术取得系列重要科技进展。近期，上海微系统所宋志棠科研团队在新型相变存储材料方面取得重大突破，创新提出一种高速相变材料的设计思路，即以减小非晶相变薄膜内成核的随机性来实现相变材料的高速晶化。通过第一性理论计算与分子动力学模拟，从众多过渡族元素中，优选出钪（Sc）作为掺杂元素，设计发明了低功耗、长寿命、高稳定性的 Sc-Sb-Te 材料，Sc 与 Te 形成的稳定八面体，成为成核核心是实现高速、低功耗存储的主
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iuggnahz：
中冶赛迪?融合物联网、大数据、云服务和移动互联等新一代信息技术
(中国中冶)高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现 2017-11-13 16:30
2018年8月12日 11:36:51 来源：168炒股学习网 编辑：168炒股学习网
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高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现2017-11-13 16:30 操作系统/PC/技术集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三...
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新型相变材料突破存储速度极限
数据读写从数十纳秒提升到亚纳秒
模拟显示了在600皮秒内的晶核扩展，新相变材料迅速实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。
图片来自《科学》杂志官网
科技日报北京11月15日电 （记者聂翠蓉）据《科学》杂志官网14日报道，中国科学院上海微系统与信息技术研究所副研究员饶峰和同事研发出一种全新的相变材料——钪锑碲合金，可在不到1纳秒内实现多晶态与玻璃态两种相态之间的转换。发表在本周出版的《科学》杂志上的这一研究成果，突破了相变存储器（PCRAM）的存储速度极限，为实现我国自主通用存储器技术奠定了基础。
经过几十年的发展，计算机已经变得更小、更快、更便宜，存储性能继续提升所面临的挑战也更加严峻。
静态/动态随机存储器（SRAM缓存/DRAM内存）是与计算机中央处理器直接交换数据的临时存储媒介，可按需随意取出或存入数据。本世纪初，科学家就已经提出PCRAM是一种很有前途的新型非易失性存储器，通过在两种相态之间转换，分别代表“0”和“1”进行存储。
现有最普遍使用的相变材料是锗锑碲合金（GST），为符合当今计算机的高速随机存储的需求，相态转换必须在亚10纳秒内完成，而锗锑碲合金的相变速度通常需要几十至几百纳秒，太慢导致无法媲美或替代传统的DRAM和SRAM存储器。
饶峰和同事通过理论计算，向锑碲合金加入过渡族金属，筛选出能在更高温度下通过形成更加稳定的钪碲化学键加速晶核形成的钪锑碲合金。
他们还合成出这一新型相变材料，并通过实验证明，新材料能在700皮秒（0.7纳秒）内快速完成晶体与玻璃态的相变可逆转换。研究人员表示，这一速度提升，使得相变存储器有望替代现有高速存储器进入实用，未来将进一步助推计算机整体性能的大幅提升，向更快速、更低功耗、更长寿命方向发展。
新型相变材料突破存储速度极限
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经过几十年的发展，计算机已经变得更小、更快、更便宜，...
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钪锑碲存储器
更新时间： 2018-11-23 11:52:06
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钪锑碲存储器
更新时间： 2018-11-23 11:52:06
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