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耐威科技(300456)氮化镓材料第三代半导体概念的002023海特高新已经大涨8%，身为同一阵营的30
氮化镓材料第三代半导体概念的002023海特高新已经大涨8%，身为同一阵营的300456耐威科技是否会跟？耐威科技8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计2019年Q2量产出货文章来源： 集微网 发布时间：2018-12-2512月24日，耐威科技在投资者互动平台表示，8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计将于2019年二季度实现量产出货；氮化镓功率与微波器件预计将于2020年实现量产出货，均面向5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域的产业链中下游客户。耐威科技在本月就已发布公告称，其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”。耐威科技发力第三代半导体有成效2018年，为布局并把握宽禁带化合物半导体材料（即第三代半导体材料）产业的发展机遇，耐威科技先后投资设立了控股子公司聚能创芯和聚能晶源。其中，耐威科技持有聚能创芯35%
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玲子198004：
耐威科技8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计2019年Q2量产出货
文章来源： 集微网 发布时间：2018-12-25
12月24日，耐威科技在投资者互动平台表示，8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计将于2019年二季度实现量产出货；氮化镓功率与微波器件预计将于2020年实现量产出货，均面向5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域的产业链中下游客户。
耐威科技在本月就已发布公告称，其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”。
耐威科技发力第三代半导体有成效
2018年，为布局并把握宽禁带化合物半导体材料（即第三代半导体材料）产业的发展机遇，耐威科技先后投资设立了控股子公司聚能创芯和聚能晶源。其中，耐威科技持有聚能创芯35%的股权，持有聚能晶源40%的股权。资料显示，聚能晶源主要从事半导体材料，尤其是氮化镓（GaN）外延材料的设计、开发、生产，主要聚焦相关材料在航空电子、5G通信、物联网等领域的应用，完善并丰富公司产业链。
自成立以来，聚能晶源先后攻克了GaN与Si材料之间晶格失配、大尺寸外延应力控制、高耐压GaN外延生长等技术难关，成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。据了解，该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
耐威科技表示，在采用国际业界严苛判据标准的情况下，聚能晶源研制的外延晶圆在材料、机械、电学、耐压、耐高温、寿命等方面具有性能优势，能够保障相关材料与技术在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域得到安全可靠的应用。
公告称，本次“8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”的研制成功，短期内不会对公司的生产经营产生重大影响，但有利于公司加快在第三代半导体材料与器件领域的技术储备，有利于增强公司核心竞争力并把握市场机遇。
第三代半导体材料有何优势？
据悉，第三代半导体材料主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、金刚石等，与第二代半导体硅（Si）、砷化镓（GaAs）等材料相比，第三代半导体材料氮化镓（GaN）具有更大的禁带宽度（＞3 eV），一般也被称为宽禁带半导体材料。
得益于禁带宽度的优势，GaN材料在击穿电场、本征载流子浓度、抗辐照能力方面都明显优于Si、GaAs等传统半导体材料。
此外，GaN材料在载流子迁移率、饱和载流子浓度等方面也较Si更为优异，因此特别适用于制作具有高功率密度、高速度、高效率的功率与微波电子器件，在5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域具有广泛的应用前景。
与此同时，将GaN外延生长在硅衬底之上，可以有效地结合GaN材料的高性能以及成熟Si晶圆的大尺寸、低成本优势。基于先进的GaN-on-Si技术，可以在实现高性能GaN器件的同时将器件制造成本控制在与传统Si基器件相当的程度。
因此，GaN-on-Si技术也被业界认为是新型功率与微波电子器件的主流技术。
第三代半导体材料即宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev），主要包括碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、砷化镓（GaAS）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN），较为成熟的是碳化硅和氮化镓被称为第三代半导体材料的双雄，而氧化锌、金刚石、氮化铝的研究尚属起步阶段。微波射频领域、光电领域、电力电子等领域为第三代半导体提供了广阔的市场空间。
北京耐威科技股份有限公司于2015年5月14日在深圳证券交易所创业板挂牌上市，股票简称为“耐威科技”，股票代码为“300456”，公司截至目前的注册资本和实收资本均为18,783.66万元，法定代表人为杨云春，公司住所为北京市西城区裕民路18号北环中心A座2607室(德胜园区)。
公司自2008年成立以来，长期从事惯性、卫星、组合导航产品的研发、生产与销售，已经形成了“惯性导航 卫星导航 组合导航”全覆盖的自主研发生产能力，旗下全资子公司耐威时代拥有具备《武器装备质量体系认证证书》、《二级保密资格单位证书》、《武器装备科研生产许可证》、《装备承制单位注册证书》等从事军品研发、生产与销售的专业资质。基于产业链拓展及外延发展的需要，公司于2016年7月完成对瑞通芯源100%股权的收购并间接控股了全球领先的MEMS芯片制造商瑞典Silex，于2016年11月完成对高速信息处理厂商镭航世纪的收购，同时计划通过内生增长及外延并购，继续积极布局航空电子、MEMS制造、无人系统、智能制造等业务板块，努力成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。
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耐威科技8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计2019年Q2量产出货
文章来源： 集微网 发布时间：2018-12-25
12月24日，耐威科技在投资者互动平台表示，8英寸硅基氮化镓外延晶圆预计将于2019年二季度实现量产出货；氮化镓功率与微波器件预计将于2020年实现量产出货，均面向5G通讯、云计算、快充电源、无线充电等领域的产业链中下游客户。
耐威科技在本月就已发布公告称，其控股子公司聚能晶源(青岛)半导体材料有限公司（以下简称“聚能晶源”）成功研制“8 英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆”。
耐威科技发力第三代半导体有成效
2018年，为布局并把握宽禁带化合物半导...
玲子198004：
海特高新是6英寸，目前是二代，本来就是冤大头接盘的。落伍了，已经是包袱了。还是耐威科技更好
玲子198004：
耐威科技公告原文说得很明白了“。。。聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业。。。”这句话说明起码在地球上耐威科技它是最领先的
作者：踏雪飞鸿1973
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玲子198004：
耐威科技公告原文说得很明白了“。。。聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业。。。”这句话说明起码在地球上耐威科技它是最领先的。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。
玲子198004：
诺赛科，海特高新，耐威科技氮化稼区别：海特高新6英寸，应该是二代。技术不高，成本根本不能同8英寸竞争。偌赛科和耐威都是8英寸，但是技术质量是由区别的，偌赛科是100-650V，耐威扩展650-750V。显然耐威的技术和质量要领先一些。耐威科技的公告原文说得很明白了“聚能晶源成为截至目前公司已知全球范围内领先的可提供具备长时可靠性的8英寸GaN外延晶圆的生产企业”这句话说明起码在地球上耐威科技它是最领先的
股友9UIm89：
在好也没用，其它股票给点阳光它就灿烂，沾点题材概念就暴涨，越正宗越好越不涨！
换个名字好评论：
落后的海特涨了 因为人家成熟 应用广泛 耐威科技不涨是因为太先进了 应用上还没有开始 也就是目前还没有量产 人家还没有开发应用 所以 大股东给股民画饼充饥 给自己壮胆呢