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中国中冶(601618)！！钪锑碲是制造相变存储器的核心原材料。 中冶全球最大氧化钪锑碲生产商
！！钪锑碲是制造相变存储器的核心原材料。 中冶全球最大氧化钪锑碲生产商
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炎黄两帝：
天河应用创新发展 “天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表。
成果信息
饶峰、张伟等人聚焦相变存储器（PCRAM）技术领域，提出了一种全新的超高速相变材料设计方案，即：通过降低非晶相变薄膜形核的随机性实现超高速亚纳秒级结晶化（写）操作。通过理论模拟，设计了新型相变材料钪锑碲（SST）合金，利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程，显著地降低了形核过程的随机性，大幅加快了结晶化（写）操作速度，达到了0.7纳秒的高速可逆操作，循环寿命大于107次。
与传统锗锑碲（GST）器件相比，钪锑碲（SST）器件的操作功耗降低了近10倍，通过材料模拟计算，阐明了超快结晶化以及超低功耗的微观机理。这一研究成果对深入理解和调控非晶态材料的形核与生长机制具有重要的指导意义，并为实现我国自主的通用存储器技术奠定了坚实的基础。
新型钪锑碲相变存储器件-0.7纳秒的高速写入操作及其相变机理
上述研究工作获得了国家自然科学基金项目、深圳市基础研究项目、中科院战略性先导科技专项等项目资助。饶峰教授为论文第一、通讯作者，丁科元博后为共同第一作者。论文的计算工作得到了国家超级计算天津中心的大力支持。
来源：国家超级计算天津中心
天河应用创新发展 “天河一号”助力超高速相变存储研究
2018-11-29 15:06
导 读
处于数字全球化的今天，爆炸式增长的信息对数据的存储与传输提出了极大的挑战，而且目前商用计算体系架构内各存储部件，即缓存（SRAM）、内存（DRAM）和闪存（NAND Flash）之间性能差距日益加大，其间的数据交换效率已成为了电子设备发展的瓶颈。因此，研发具备存储密度大、读写速度快、能耗低、非易失等特点的新式通用式存储介质势在必行。
天津超算中心用户饶峰教授与西安交通大学张伟教授、马恩教授合作，基于“天河一号”在超高速相变存储研究方面取得了重要进展。相关研究成果在Science（《科学》）杂志上发表...
炎黄两帝：
浙大研制新型存储器：面积仅几十分之一
2018-05-24来源: 快科技 关键字：新型存储器
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今天，浙江大学公众号发布消息称，浙大团队研制新型存储器，面积只有目前电路器件的几十分之一。文中表示，浙江大学信息与电子工程学院和硅材料国家重点实验室，研发出了一种低成本、低功耗的新型存储器。课题组利用锗独特的表面性质，在锗表面生长忆阻器材料，形成一种新的器件，研究人员称之为“记忆二极管”。
官方称，这项基于可工业化生产的半导体集成电路制造工艺的工作，或将大幅提高数据交换速度，为降低网络芯片制造成本提供解决方案。
同时，这种新型存储器可为数据“打上”标签，为未来物联网社会增添更多想象。
项目负责人赵毅说：“我们团队研发的这个新器件，将原来需要一个电路才能做到的工艺，用一个器件就能实现其功能。使用面积缩小几十分之一。”
具体研究结果将在6月份的国际超大规模集成电路峰会（2018 Symposia on VLSI Technology and Circuits）上发表，我们拭目以待。
关键字：新型存储器
炎黄两帝：
IBM展示相变存储技术，单元存储量提升到3比特
朱 朋博 2016 /5/31 11:11
IBM研究院的科学家采用一种较新的存储技术，即被称为相变存储（PCM）技术，首次展示了每个单元稳定的存储3比特数据的能力。
目前常用的存储器主要有DRAM、硬盘驱动器以及普遍使用的闪存盘（U盘）。但在过去的几年，PCM因其综合了高速读/写、耐用和非易失性及高存储密度引起了业界的关注，有潜力成为一种通用存储技术。例如，与DRAM不同，PCM在断电时不会丢失数据，并且这种技术可实现至少1000万次重复擦写次数，而普通的USB闪存记忆棒（U盘）最多只能重复擦写3000次。
这项研究突破可提供快速简便的存储，以满足移动设备和物联网成几何级数剧增的海量数据。
应用
IBM科学家认为，PCM存储器可以独立使用，或者用作混合应用设备的一部分，此类混合应用设备整合了PCM和闪存，以PCM作为速度极快的高速缓冲存储器（Cache）。例如，手机的操作系统可储存在PCM中，使手机可在几秒钟内开机。在企业领域，整个数据库都可储存在PCM中，可为时间要求苛刻的在线应用（例如金融交易）提供超快的查询处理。
这项技术还可通过减少在迭代之间读取数据时导致的延迟开销，大大提高采用大型数据集的机器学习算法的速度。
PCM的工作原理
PCM材料具有两种稳定的状态，非晶相（没有明确的结构）和晶相（具有明确的结构），分别具有较低和较高的导电率。
如果想在PCM单元上储存“0”或“1”，即大家熟知的比特，我们可在这种材料上通上较高或者中等电流。“0”可编程设定为在非晶相下写入，而“1”在晶相下写入，或者相反。然后通上低电压，将这个位读取出来。这就是可重写蓝光光盘（Blue-ray Discs）*储存视频的原理。
先前，IBM以及其它研究机构的科学家已成功展示了在PCM上每个单元存储1个比特的能力，但今天在巴黎的 IEEE国际存储器研讨会上，IBM的科学家首次展示了在高温下的64k单元阵列上实现每个单元成功储存3比特的能力，并且其重复擦写次数突破了100万次。
“相变存储器是首款既具有DRAM特性又具有闪存特性的通用存储器装置，因此可解决业界面临的重大挑战之一，”论文作者、IBM研究院非易失性存储器研究部门经理Haris Pozidis博士在苏黎世对媒体说，“实现每单元3比特（3位）的存储能力是一个重要的里程碑，因为在这种存储密度下，PCM的成本将会大大低于DRAM的成本并且接近闪存的成本。”
为了实现多位存储，IBM的科学家开发出了两项创新性的使能技术：一套不受偏移影响单元状态测量方法以及偏移容错编码和检测方案。
更具体地说，这种新的单元状态测量方法可测量PCM单元的物理特性，检测其在较长时间内是否能保持稳定状态，这样的话其对偏移就会不敏感，而偏移可影响此单元的长期电导率稳定性。为了实现一个单元上所储存的数据在环境温度波动的情况下仍能获得额外的稳健性（additional robustness），IBM的科学家采用了一种新的编码和检测方案。这个方案可以通过自适应方式修改用来检测此单元所存储数据的电平阈值，使其能随着温度变化引起的各种波动而变化。因此，这种存储器写入程序后，在相当长的时间内都能可靠地读取单元状态，从而可提供较高的非易失性。
“通过综合这些进步，可解决多位PCM的关键挑战，包括偏移、可变性、温度敏感性和重复擦写次数，”IBM院士（IBM Fellow）Evangelos Eleftheriou博士说道。
IBM的科学家所使用的实验用多位PCM芯片连接在一块标准的集成电路板上。该芯片由一个4-bank 内存交错结构的2 2 Mcell 阵列组成。这款存储器阵列大小为2 1000 微米 （m） 800 微米（m）。PCM单元采用掺杂硫族化物合金制作而成，集成在标准原型芯片上，该芯片作为90nm CMOS基线技术中的特征化载具。
IBM展示相变存储技术，单元存储量提升到3比特
朱 朋博 2016 /5/31 11:11
IBM研究院的科学家采用一种较新的存储技术，即被称为相变存储（PCM）技术，首次展示了每个单元稳定的存储3比特数据的能力。
目前常用的存储器主要有DRAM、硬盘驱动器以及普遍使用的闪存盘（U盘）。但在过去的几年，PCM因其综合了高速读/写、耐用和非易失性及高存储密度引起了业界的关注，有潜力成为一种通用存储技术。例如，与DRAM不同，PCM在断电时不会丢失数据，并且这种技术可实现至少1000万次重复擦写次数，而普通的USB闪存记忆棒（U盘）最多只能重复擦写3000次。
这项研究突破可提供快速简便的存...
炎黄两帝：
【相变存储器】近日，西安交通大学材料学院与中国科学院上海微系统所在新型相变存储材料方面取得重大突破。科学家利用材料计算与设计的手段筛选出新型相变材料钪锑碲合金，该材料利用结构适配且更加稳定的钪碲化学键来加速晶核的孕育过程，显著降低形核过程的随机性，大幅加快结晶化即写入操作速度。与业内性能最好的相变器件相比，钪锑碲器件的操作速度提升超过10多倍，达到了0.7纳秒的高速可逆操作，并且降低操作功耗近10倍。相关科研成果发表于美国Science杂志。