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第三代半导体产品--氮化镓充电器600206
第三代半导体产品--氮化镓充电器股道的卢2020年02月13日 18:12分享到：阅读：1195评论收藏今日大盘终结了8连阳，这段时间市场持续性的反弹，很多投资者早就开始减仓了。
正常都认为此次反弹不至于这么强，结果却告诉大家，的确就这么强。
股市的走势就如用兵之道，虚者实之，实者虚之，虚虚实实。
你感觉它要调整，它偏不调整，你认为大风险来了，结果是一个大机会。
虚虚实实，辨证看待。
今日这个小阴线，或许很多人把它看作调整的开始，但是否是调整的开始呢？以往的很多数据显示，市场要调整之前尤其是中阴线调整之前，市场会有诱多行为，反应在K线上就是十字星、小阴小阳，欲调不调且盘面依旧有不少机会。
目前现在的行情，不少投资者表现出比较纠结的状态。
要不要减仓，怎么减，减多少？其实这种问题是没有标准答案的。
只能根据自己的情况而定，有做趋势投资者，有做价值投资者的，也有做短线投机的。
每一种风格对应承受的回撤都是不同。
简单说说个人的想法，在此之前，我们一起来看看刘伯温的用兵之道：“凡用兵之道，以计为首。
未战之时，先料将之贤愚，敌之强弱，兵之众寡，地之险易，粮之虚实。
计料已审，然后出兵，无有不胜。
”我们在操作之前要先制定好策略，了解好整体市场情况以及自身需求情况。
比如说我自己，我就是一个中长期投资者，我看的就一个大周期，而不是一两周和1-2个月。
市场强弱：创业板多头趋势，改变趋势不会这么快，顶多先短调。
但大盘超跌反弹之后，想要重新回到震荡多头趋势，需要经济数据和政策落实预期转暖后，时间上，怎么也得需要2-3个月。
市场是结构性强弱。
增量资金：增量资金其实是不愁的，外资、社保、公募以及普通投资者，外面怎么也得好几万亿。
短期由于这波抄底，消耗了很多机构们增量资金，很多机构仓位非常重，部分机构有想减仓兑现部分仓位利润的需求。
远水解不了近渴！估值之高低：不少科技品种估值有点贵，但相比历史来看，TMT中通信行业在40
火
颇具潜力的射频、高速数字电路材料
砷化镓、氮化镓MMIC芯片作为手机生产的重要器件，20世纪90年代中期就已取代了射频、微波领域里低性能硅基集成电路而成为无线通讯产业不可或缺的IC元件。因其工艺制造比硅器件困难大，以前国内尚无一家成熟的生产厂家，所需的射频功率芯片（GaAs MMIC 、GaN MMIC）主要依赖进口，这对我国半导体产业和通讯产业特别是即将推广应用的5G技术发展构成了重大屏障。在国家政策和资金大力支持下，经过多年的技术积累和发展，从材料砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）到芯片GaAs MMIC 、GaN MMIC 实现重大突破基础上，2018年北京双仪投资10亿元在北京建...
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火
美国CEI公司夏令博士赴有研光电商谈合作
发布时间：2016-09-30 13:19:28
2016年9月1日，美国Cambridge Electronics Inc公司（简称CEI）的运营总裁夏令博士赴有研光电新材料有限责任公司考察并商谈项目合作事宜，一起陪同的还有有色金属研究总院先进电子材料研究所副所长杨志民、有色金属研究总院外事办肖芳等人。
Cambridge Electronics Inc公司是一家由美国麻省理工学院（MIT）孵化出的高科技公司，是一家专门从事氮化镓（GaN）器件设计开发企业，其主要技术产品包含GaN模拟和混合信号电路、5G无线通信微波器件、射频功率器件、电力转...
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砷化镓（GaAs）与氮化镓（GaN）技术应用
即将推广应用的新一代无线电网络5G基站、手机需要更多、更高频率组件支撑，可望为高频、带宽芯片特别是高频、带宽、高功率、高温RF功率芯片带来庞大商机。受我国近一半电信基站的升级（无线回程网络组件）和小型基地台的逐渐普及，致使RF功率市场在2016~2022年间将以9.8%的年复合成长率迅速成长，2022年有望比2015年增长75%。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）等固态技术因其效能较高、体积较小且稳定性较佳将逐渐取代真空管尤其是5G基地台功率放大器而成为市场主流技术。其中GaAs技术已成熟和基于其稳定性与不错的性价比可进入国防、有线电视、手机等市场，受与日俱增的信息流量、更高操作频率与带宽等需求驱使的GaN组件在电信大型基站、手机、雷达/航空功率放大器应用中取代LDMOS组件（3G、4G手机是砷化镓制程）而受到关注。在小于6GHz频段的半导体技术市场将是砷化镓、氮化镓制程的天下，5G手机预计采用砷化镓/氮化镓占50%、CMOS占50%）。
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有研新材（600206）是国内砷化镓最大供应商
【 淘股吧原创: 选股者 2019-03-19 14:45 只看楼主(-1) 浏览/回复2348/1 】
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大基金关注化合物半导体
集成电路“大基金”接近完成190亿美元二期募资。其中，化合物半导体是新基金重点关注的三大领域之一。化合物半导体主要包括砷化镓、氮化镓、碳化硅等一系列非硅半导体材料，5G、3D感测和汽车电动化是行业增长的主要动力，预计化合物半导体行业规模到2025年将达到670亿美元。
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科技股依然会是重有研新材600206涉及砷化镓氮化镓（GaN）、金刚石等.产业。
科技股依然会是重中之重.碳化硅和氮化镓.
2020年01月13日 00:58
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最近一直在看第二、第三代半导体材料方面的资讯，颇有感受，写下来供各位参考。
半导体材料已经发展到第三代。
第一代是硅（Gi）和锗（Ge）。锗的特性比硅差，所以硅用得很普遍。像MCU、CPU、闪存、内存等等都是以硅为基材。随着技术地进步，硅在高速、高频、射频等领域渐渐力有不逮。
第二代是化合物半导体，比如磷化铟（InP）、砷化镓（GaAs）。磷化铟器件应用在光纤通信、激光、射频领域。砷化镓器件具有开关速度...
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有色金属行业研究-氮化镓：第三代半导体核心材料600206
类别：行业
氮化镓：第三代半导体进行时。GaN 属于第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN 的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si 和GaAs，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。目前第三代半导体材料以SiC 和GaN 为主。相较于SiC，GaN 材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC 器件，但优势在于开关速度快。同时，GaN 如果配合SiC 衬底，器件可同时适用高功率和高频率。
GaN 供给：知名厂商集中海外。根据Yole 报告，氮化镓产业链基本包括衬底...
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有色金属行业研究-氮化镓：第三代半导体核心材料600206
类别：行业
氮化镓：第三代半导体进行时。GaN 属于第三代半导体材料（又称为宽禁带半导体材料）。GaN 的禁带宽度、电子饱和迁移速度、击穿场强和工作温度远远大于Si 和GaAs，具有作为电力电子器件和射频器件的先天优势。目前第三代半导体材料以SiC 和GaN 为主。相较于SiC，GaN 材料的优势主要是成本低，易于大规模产业化。尽管耐压能力低于SiC 器件，但优势在于开关速度快。同时，GaN 如果配合SiC 衬底，器件可同时适用高功率和高频率。
GaN 供给：知名厂商集中海外。根据Yole 报告，氮化镓产业链基本包括衬底...
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教授：面向下一代主动驱动、高分辨GaN-LED显示
2019-11-29 文章来源：中国半导体照明网 阅读原文
LED产业从未停止技术创新步伐，尤其紧跟以智能、健康、按需及MicroLED等新型显示相关的新技术一直都是产业追逐的焦点。半导体芯片、封装及模组技术工艺及技术的革新都能引发产业极大关注。
11月25--27日，第十六届中国国际半导体论坛暨2019国际第三代半导体论坛（SSLCHINA&IFWS2019）在深圳成功召开。“半导体芯片、封装及模组技术II”分会作为SSLCHINA&IFWS2019论坛的重要技术分会之一，由国家半导体工程研发及产业联盟、第三代半...
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第三代半导体材料主要以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。
兴业证券-金属非金属新材料行业：GaAs/GaN，5G时代，执掌主场-191105
行业名称： 金属非金属新材料行业股票代码：分享时间：2019-11-05 16:55:47研报栏目： 行业分析研报类型： (PDF)研报作者： 邱祖学，王丽佳，苏东研报出处： 兴业证券研报页数： 23 页推荐评级： 推荐（首次）研报大小： 3,429 ...
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