(闻泰科技)麻烦董秘确认一下：2019年，安世半导体在全球率先开始批量交付氮化镓GaN的功率

不准确，GaN两年前汽车上就有了，只是现在才开始用于手机充电器。

亲，董秘顾不上，我代劳
《Nexperia推出行业领先性能的高效率氮化镓功率器件——GaN FET》
　　　　　　2019年11月19日 Nexperia
　　分立、逻辑和MOSFET器件的专业制造商Nexperia，今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管(GaN FET)市场。这款器件非常耐用，栅极电压(VGS)为20V，工作温度范围为-55至+175℃。GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on)仅为60 m)以及快速的开关切换；效率非常高。
　　Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场，包括电动汽车、数据...

《650V GaN FET——从研发迈向产业化》
　　　　　　2019年11月29日 Nexperia 作者 Dilder Chowdhury
　　随着安世半导体发布首款650V GaN-on-Si FET，我们快速回顾了这项技术从研发迈向产业化的历程。从大约10年前对GaN潜力的初步研究，到如今克服GaN-on-Si的挑战并投入生产。我们相信这项技术已经准备好提供电源转换效率和功率密度，这对汽车和物联网的发展至关重要。
　　任何研究人员或技术开发人员都会告诉你，让一项新技术走出实验室并投入到大规模批量生产一般要花费10年或更多时间。很显然，氮化镓(GaN) FET便是如此。自从20世纪90...

Nexperia公司GaN器件架构师——Dilder Chowdhury简历：
　　1981年3月—1988年2月，孟加拉工程技术大学电气与电子工程系学习与工作，获工学学士、工学硕士学位，留校担任讲师、副教授；
　　1988年3月—1993年5月，在曼彻斯特理工大学(UMIST)半导体器件与电子工程系学习，获工学硕士、工学博士学位；
　　1993年4月—1996年5月，在曼彻斯特理工大学(UMIST)半导体器件与电子工程系，以研究访问者身份(即博士后)从事多量子阱半导体器件领域的研究工作；
　　1996年6月—2017年1月，在Nexperia的前身——飞利浦半导体、恩智浦半导体公司先后担任家...

Nexperia(安世半导体)的唯一参股公司——Transphorm Inc.(美国)的简况：
　 　Transphorm Inc.(美国)是一家专门设计、生产氮化镓功率转换器和模块的企业。公司创始人Primit Parish和Umesh Mishra早年创办并成功运营了一家名为 Nitres的GaN LED公司，在Nitres公司被Cree(科锐)公司收购后，两人于2007年便联合创办了Transphorm公司。
　 　十多年来，Transphorm公司一直专注于将高压GaN FET推向市场，致力于为电力电子市场(数据中心服务器、PV转换器、感应/伺服电机、工业及汽车等商业供电市场)设计...

主要是安世半导体的厉害机构都还没挖掘，都是爆炒国内的垃圾概念股。