(三安光电)氮化镓消费领域应用崭露头角 应用处于爆发前期

氮化镓消费领域应用崭露头角 应用处于爆发前期

导读：
小米10近期成功发布，其中氮化镓充电器，打开了氮化镓作为功率器件衬底材料的应用先河，氮化镓具有的禁带宽度大、热导率高、耐高温等多种优点将逐渐进入功率器件相关产业，应用处于快速增长期，今天我们就重点来看一看。
氮化镓是什么？
GaN 是一种新型半导体材料，和 SiC 同属于第三代高大禁带宽度的半导体材料，和第一代的 Si 以及第二代的 GaAs 等相比，其在特性上优势突出。
它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信。
近年来，随着技术进步和市场需求扩大逐渐将 GaN 导入了快充充电领域，常见于USB PD 快充等中高端产品，在输入电压为 100 V 或更低的应用中。
氮化镓器件分类及应用领域
应用领域拓展空间大规模增长速度高
由于 GaN 各方面的特性，使得 GaN 在射频器件、功率器件等领域都表现出其强劲的渗透能力。
射频领域
氮化镓的频率特性好、瞬时带宽更高、速度更快、可以实现更高的功率密度。
对于既定功率水平，GaN 具有体积小的优势。
有了更小的器件，就可以减小器件电容，从而使得较高带宽系统的设计变得更加轻松。
射频电路中的一个关键组成是 PA(功率放大器)。
从目前的应用上看，功率放大器主要由砷化镓功率放大器和互补式金属氧化物半导体功率放大器(CMOS PA)组成，其中又以 GaAs PA 为主流，但随着 5G 的到来，砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。
GaN 射频器件市场发展
功率器件
GaN 也广泛应用于功率器件市场。
GaN 主要应用于低压环境中的功率器件，高压环境主要使用 SiC 材料，600-900V 为两者的竞争市场。
相比 SiC，GaN 在成本方面表现出更强的潜力，且 GaN 器件是个平面器件，与现有的