(南大光电)被日美垄断的芯片行业最核心材料—光刻胶，国产替代计划全面开启 胖福的小木屋 发

被日美垄断的芯片行业最核心材料—光刻胶，国产替代计划全面开启 胖福的小木屋 发
被日美垄断的芯片行业最核心材料—光刻胶，国产替代计划全面开启胖福的小木屋发布时间：01-2011:35媒体人，优质原创作者众所周知，薄膜生长设备、蚀刻机、光刻机是芯片制造的三大核心设备，其中光刻机的技术难度最高，但是光刻机其实也有很多种类型，包括前道光刻机、后道光刻机、平板显示光刻机等，其中前道光刻机就是我们熟悉的ASML生产的光刻机，而后道光刻机主要用于芯片封装。
中国负责攻坚光刻机的是上微，而上微目前在技术难度较低的后道光刻机、平板显示光刻机上占领了国内80%的市场，但自从2007年研制出了我国首台90纳米高端投影光刻机，成为世界上第四家掌握高端光刻机技术的公司之后，上微目前还在攻坚45nm光刻机。
之所以会出现这样的情况是因为，由于光刻机需要大量采用外国关键元器件进行集成，在得知我国研制出光刻机后，外国公司默契的进行了关键元器件禁运，这导致了中国光刻机研制出现了困难，进度变慢。
其中光刻机最核心关键的材料之一就是光刻胶，光刻胶不仅仅是光刻机的核心材料，更是芯片制造中的关键且核心材料。
光刻胶是什么？光刻胶是由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。
光刻胶用于微小图形的加工，生产工艺复杂，技术壁垒较高。
我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模版上，然后光源通过掩模版照射到附有光刻胶的硅片表面，引起曝光区域的光刻胶发生化学效应，再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域，使掩模版上的电路图转移到光刻胶上，最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。
而光刻根据所采用正胶与负胶之分，划分为正性光刻和负性光刻两种基本工艺。
在正性光刻中，正胶的曝光部分结构被破坏，被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相同。
相反地，在负性光刻中，负胶的曝光部分会因硬化变得不可溶解，掩模部分则会被溶剂洗掉，使得光刻胶上的图形与掩模版上图形相反。
光刻工艺的成本约为整个芯片