重磅来袭！大科技兴起，5G时代悄然迈进！如何成为一下个贵州茅台的股王第三代半导体有哪些优势？相关概念

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一，5G 时代，三代半导体的区别？

1，第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。
它们在国际信息产业技术中的各类分立器件和集成电路、电子信息网络工程等领域得到了极为广泛的应用。

2，第二代半导体材料是指化合物半导体材料，如砷化镓（GaAs）、锑化铟（InSb）、磷化铟（InP），以及三元化合物半导体材料，如铝砷化镓（GaAsAl）、磷砷化镓（GaAsP）等。
还有一些固溶体半导体材料，如锗硅（Ge-Si）、砷化镓-磷化镓（GaAs-GaP）等；玻璃半导体（又称非晶态半导体）材料，如非晶硅、玻璃态氧化物半导体等；有机半导体材料，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。
第二代半导体材料主要用于制作高速、高频、大功率以及发光电子器件，是制作高性能微波、毫米波器件及发光器件的优良材料。

3，第三代半导体材料主要是以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）、氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝（AlN）为 代表的宽禁带（禁带宽度 Eg>2.3eV）的半导体材料。
氮化镓（GaN）是第三代半导体材料之一。
相比第一代和第二代半导体材料，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和度以及更高的抗辐射能力。

4，宽禁带半导体是高温、高频、抗辐射及大功率器件的适合材料。

与第一代和第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射 能力，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。
从目前第三代半导体材料及器件的研究来看，较为成熟的第三代半导体材料是 SiC 和 GaN，而 ZnO、金刚石、氮化铝等第三代半导体材料的研究尚属起步阶段。

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二，第三代半导体材料应用有望加速？

1，小米日前推出一款65W氮化镓充电器，引发市场对氮化镓的强烈关注，A股相关公司股价连日上涨。
据介绍，氮化镓材料具备高功率、高频率、高导热等优势，用在充电领域可在输出大功率的同时保持充电器体积可控，因此获得不少终端厂商青睐。

2，2025年全球氮化镓快充市场规模有望达600多亿元。
除了充电器，氮化镓材料在功率器件、射频器件等半导体领域大有可为，未来或加速对硅基产品的替代。

3，值得注意的是，氮化镓等第三代半导体材料技术门槛较高，终端厂商多以投资方式提前布局。
例如，小米这款氮化镓充电器采用的是纳微半导体（Navitas）的相关技术。
资料显示，纳微半导体2014年在M国加利福尼亚成立，从事氮化镓功率芯片业务，小米早前曾投资纳微半导体，并确立产业链上下游合作关系。

4，氮化镓（GaN）因其材料的高频特性是制备紫外光器件的良好材料，紫外光电芯片具备广泛的军民两用前景。
在军事领域，典型的军事应用有：灭火抑爆系统（地面坦克装甲车辆、舰船和飞机）、紫外制导、紫外告警、紫外通信、紫外搜救定位、飞机着舰（陆）导引、空间探测、核辐射和生物战剂监测、爆炸物检测等。
在民用领域，典型的应用有：火焰探测、电晕放电检测、医学监测诊断、水质监测、大气监测、刑事生物检测等。
由此可见，GaN 在光电子学和微电子学领域有广泛的应用，其中 GaN 基紫外激光器在紫外固化、紫外杀菌等领域有重要的应用价值，也是国际上的研究热点！

5，华为旗下的哈勃科技投资有限公司2019年8月投资了国内领先的碳化硅材料公司山东天岳先进材料科技有限公司，持股达10%。
碳化硅是另一种第三代半导体材料，是制造高温、高频、大功率半导体器件的理想衬底材料，综合性能较硅材料可提升上千倍，可用于固态光源、电力电子、微波射频器件。

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三，第三代半导体迎重大发展机遇！

1，除了应用于电源适配器，氮化镓功率器件还可以应用于无线充电件、逆变器、交流器等领域。
电力系统市场有望成为氮化镓功率器件市场规模快速提高的主要驱动因素。
Yole预测2018年-2022年复合增速提高至89%。
预计到2022年氮化镓功率器件的市场规模为4.62亿美元。
其中，电力供应系统领域增速最快，预计到2022年电力系统领域市场规模可达2.43亿美元，占总市场规模比例超过一半。

2，氮化镓射频器件主要应用于基站、卫星、雷达等领域。
这些器件具备尺寸小、效率高和功率密度大的物理特性，使通信基站能够更好的实现信号收发，有效减少收发通道数及整体方案的尺寸，是5G基站的关键技术。
2020年是国内5G基站大规模建设的年份，5G基站数量增加将带来射频器件需求量增加。
Yole预测，在5G基站等通信设备和军用高频率雷达建设的拉动下，到2024年氮化镓射频器件市场规模有望突破20亿美元。
其中，通信设备和军工应用领域占比最大，合计超过85%。

3，从产业链看，氮化镓产业链包括衬底、外延片、器件制造等环节，目前大部分环节的一线厂商在海外。
我国企业尚未进入供给端第一梯队。

4.目前市场行情也是暴力洗盘下，可见，国内机构的投资受国家科技政策的指引较为明显，也更加符合我国改革的趋势。

四，A股公司积极布局

1，由于小米65W氮化镓充电器的发布，带动A股相关概念股被炒作！

对于第三代半导体的发展机遇，除了终端厂商通过投资方式布局抢滩，国内不少企业攻坚克难，相关概念如：三安光电、闻泰科技、士兰微、华润微、海特高新、华微电子、扬杰科技等多家公司均已积极投入资源，并取得一定成绩。

2，三安光电下属子公司三安集成成立于2014年，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成网站显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的碳化硅功率二极管及硅基氮化镓功率器件。

3，海特高新旗下海威华芯积极拓展化合物半导体业务，已建成6寸化合物半导体商用生产线，并完成包括砷化镓、氮化镓、碳化硅及磷化铟在内的6项工艺产品的开发，可支持制造功率放大器、混频器、低噪音放大器、开关、光电探测器、激光器、电力电子等产品，业务涵盖航空、航天、卫星、消费电子等领域。

4，闻泰半导体收购的安世半导体在全球功率半导体领域居领先地位。
2018年安世半导体与M国科锐签署非排他性、全球性的付费专利许可协议，通过这一协议，安世半导体将有权使用科锐氮化镓功率器件专利组合。

【以上不做买卖依据，具体以技术分析和市场行情定夺】

风险提示：技术创新进度缓慢、市场推广不及预期、消费市场需求疲软！

（来源：点金居士）