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如今第三代宽禁带与超宽禁带半导体越来越得到重视，其中宽禁带半导体商用化程度越来越
如今第三代宽禁带与超宽禁带半导体越来越得到重视，其中宽禁带半导体商用化程度越来越高，包括氮化镓、碳化硅等，而超宽禁带半导体包括金刚石、氧化镓和氮化铝等研究也有了进展。
郝跃院士表示，对于器件来说，既希望有低导通电阻同时又希望有高击穿电压，但这永远是矛盾体，所以需要靠材料创新来解决导通电阻和击穿电压关系。
硅基氮化镓的未来有两条路，一条是高功率的模块化产品，一条是SoC化，集成更多被动元件、射频驱动等。
超宽禁带半导体电子器件而对于性能更高的诸如金刚石、氧化镓等器件来说，学术界也在进一步探讨。
郝跃院士介绍道，单晶金刚石材料生长目前已经可以实现在单个衬底上生成12mm*11mm*1.5mm的稳定单晶金刚石，结晶质量达到元素六电子级单晶产品水平，生长速度大渔20m/h。
郝跃院士表示，金刚石由于原子密度大，掺杂和导电比较困难，所以注意依靠“氢终端表面电导”制备场效应管，在氢终端金刚石场效应管的栅极下方引入具有转移掺杂作用的介质MoO3，RON降低到同等栅长MOSFET器件的1/3，跨导提高约3倍。