网友提问：
中国中冶(601618)存储芯片DRAM占半导体产业总产值的22%号称半导体产业的“风向标
前，我国已成为全球最大的半导体消费国，同时也是全球消费电子制造中心，但由于该产业在我国起步太晚，一直受制于美日企业的技术封锁，全国高端半导体芯片的绝大部分仍需进口，重点发展高端芯片已经成为我国信息产业首当其冲重任。 在官方文件中，“高端通用芯片”最早出现在2006年2月国务院出台的《国家中长期科学和技术发展规划纲要(2006-2020年)》，该纲要确定了包括“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件”在内的16个重大专项。 在业内将“核心电子器件、高端通用芯片及基础软件”重大专项简称为“核高基”专项，同时又因为该专项排在16个专项的第一位，因此又将其称为“01专项”。 如果按照芯片的功能进行分类的话，包括处理器芯片、记忆和存储芯片、特定功能芯片等。那么是不是所有的芯片都具有战略性呢？其实，真正具有战略性的芯片主要是指高端芯片，比如CPU芯片、存储芯片、FPGA、通信芯片等。 随着云计算
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炎黄两帝：
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
发布时间：2017-11-10 17:57 原文链接： 高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存储技术迫在眉睫。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司，选择以嵌入式相变存储器（PCRAM）为切入点，在国家重点研发计划纳米科技重点专项、国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”专项、国家自然科学基金、中科院A类战略性先导科技专项、上海市领军人才、上海市科委等项目的资助下，经过十余年的研究，在存储材料筛选、嵌入式器件设计、PCRAM的基础制造技术取得系列重要科技进展。
近期，上海微系统所宋志棠科研团队在新型相变存储材料方面取得重大突破，创新提出一种高速相变材料的设计思路，即以减小非晶相变薄膜内成核的随机性来实现相变材料的高速晶化。通过第一性理论计算与分子动力学模拟，从众多过渡族元素中，优选出钪（Sc）作为掺杂元素，设计发明了低功耗、长寿命、高稳定性的Sc-Sb-Te材料，Sc与Te形成的稳定八面体，成为成核核心是实现高速、低功耗存储的主要原因，具有独立自主知识产权（国际专利PCT/CN2016/096649，中国专利201610486617.8）。利用0.13um CMOS工艺制备的Sc-Sb-Te基相变存储器件实现了700皮秒的高速可逆写擦操作，循环寿命大于107次。相比传统Ge-Sb-Te器件，其操作功耗降低了90%，且十年的数据保持力相当；通过进一步优化材料与微缩器件尺寸，Sc-Sb-Te基PCRAM综合性能将会得到进一步提升。
11月9日的《科学》（10.1126/science.aao3212 (2017)）杂志以Reducing the stochasticity of crystal nucleation to enable subnanosecond memory writing 为题，在线发表了这一重要研究成果。
Sc-Sb-Te相变存储材料的重大发现来自于上海微系统所科研团队在相变存储器方面的长期科研工作积累。该科研团队陆续开发出了我国第一款8Mb PCRAM试验芯片，发现了比国际量产的Ge-Sb-Te性能更好的Ti-Sb-Te自主新型相变存储材料，开发基于0.13umCMOS工艺的打印机用嵌入式PCRAM产品已获得首个1500万颗的订单；自主研发的双沟道隔离的4F2高密度二极管技术，自读存储器已开始送样，晶体管密度达到国际先进水平；40nm节点PCRAM试验芯片的单元成品率达99.99%以上，4Mb、64Mb不加修正的芯片在先进信息系统上实现试用。
Sc-Sb-Te新型相变存储材料的重大发现，尤其是在高密度、高速存储器上应用验证，对于我国突破国外技术壁垒、开发自主知识产权的存储器芯片具有重要的价值，对我国的存储器跨越式发展、信息安全与战略需求具有重要意义。
新型钪锑碲(Sc-Sb-Te)相变存储器件0.7纳秒高速写入操作演示及微观结晶化机理
高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
发布时间：2017-11-10 17:57 原文链接： 高速低功耗新型钪锑碲相变存储材料研究获重要发现
集成电路产业是“十三五”国家战略新兴产业。存储器是集成电路最重要的技术之一，是国家核心竞争力的重要体现。我国作为全球电子产品的制造基地，存储器的自给能力还相对较弱。国外三星、英特尔等大型半导体公司对存储器技术与产品垄断，对我国信息产业发展与信息安全形成重大隐患。发展国内自主知识产权的新型半导体存储技术迫在眉睫。
中国科学院上海微系统与信息技术研究所联合中芯国际集成电路制造有限公司，选择以嵌入式相变存储器（PCRAM）为切入点，在国家重点...
炎黄两帝：
中冶是全球最大高纯度氧化钪公司长期受益.新式钪锑碲(SST)相变存储器的重大突破解决了写入速度瓶颈问题，在高密度、高速存储器上的应用验证对于我国突破国外技术壁垒、开发自主知识产权的存储器芯片具有重要价值。随着后续科研成果的陆续落地，我国相变存储器产业化应用或加速爆发，
炎黄两帝：
我国存储器芯片两大喜讯:一、技术突破，二、建厂
A+ A- 2018-08-29 05:06:56 9品极天下
现在中国已经是数据信息时代了，在这个网络时代里，无论是你应用手机、电脑、网络、通讯都是离不开一个重要的东西，那就是存储器。日前，传来两则惊人的喜讯，1.中国存储器研发获得重大突破，打破国外壁垒。2.我国第一个世界级的存储器芯片厂12月初动工。
一、【重大研发突破】中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在存储器材料研发上取得重大突破，宋志棠团队通过努力，以“ 钪”代替了世界通用的“锗”研发出"钪锑碲"新型存储材料。宋志棠表示，" 钪元素与碲元素可以形成稳定的八面体，这对实现高速、低功耗存储至关重要。基于"钪锑碲"材料的新型存储器可实现700皮秒的高速存储操作，循环使用寿命大于1000万次。”
"钪锑碲"新型材料的存储器，操作功耗较原通用材料("锗锑碲")降低了90%，且十年的数据保持力相当;通过进一步优化材料与微缩器件尺寸，其将给国产存储器综合性能带来大步提升。此外，随着近年各类电子设备的普及，使存储芯片的需求大增，也对其性能要求也不断提高，为此，各国专家都在努力研发存储芯片的制造材料。
而此次"钪锑碲"的成功研发，不单只是提升性能，对我国存储芯片信息安全的维护也起到重要的作用，因此，打破国际技术壁垒，拥有自主产权的"钪锑碲"其价值和意义都是非常重大的。
二、【我国第一个世界级芯片厂即12月开工】大家都知道中国大陆一直无力生产存储器芯片，这对于中国这个芯片需求大国是多么的尴尬，不过，这种尴尬很快就要结束了。由紫光参与投资总额达240亿美元的武汉存储器芯片厂(中国首个世界级存储器芯片厂)将于12月初动工。
紫光集团董事长赵伟国15日下午出席第三届世界互联网大会(联网之光博览会)透露称:“下个月也就是12月初，我们在武汉的投资240亿美元的芯片工厂，做存储芯片的工厂将开始动工。预计完工后，2020年月产能达30万片，2030年跃升至100万片，成世界级存储器生产基地。也将一举改变中国在芯片生产方面的缺憾，也必将给中国相关行业带来极大的利好。
另外，赵伟国还称，在整个中国互联网产业领域，紫光其实是背后的技术和产品提供者。包括大陆三大移动通讯业者以及BAT(百度、阿里巴巴、腾讯)等互联网企业，所使用的芯片、交换器、路由器、服务器、储存系统等，有相当大一部份都是由紫光所提供。
其实，这些年来中国在存储芯片方面的需求是与日俱增，随着中国经济的繁荣，网络技术的发展，无论是日常生活中的电子产品应用，还是网络通讯方面都用量巨大，而靠进口的方式让大把大把的RMB被赚走这对如今中国这个网络大国应该是打击不小。就说中国手机巨头华为，自己的芯片却要在台湾(台积电)生产，【尽管台湾也是中国的】但其实还是很受伤的......
我国存储器芯片两大喜讯:一、技术突破，二、建厂
A+ A- 2018-08-29 05:06:56 9品极天下
现在中国已经是数据信息时代了，在这个网络时代里，无论是你应用手机、电脑、网络、通讯都是离不开一个重要的东西，那就是存储器。日前，传来两则惊人的喜讯，1.中国存储器研发获得重大突破，打破国外壁垒。2.我国第一个世界级的存储器芯片厂12月初动工。
一、【重大研发突破】中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在存储器材料研发上取得重大突破，宋志棠团队通过努力，以“ 钪”代替了世界通用的“锗”研发出"钪锑碲"新型存储材料。宋志棠表示，" 钪元素与碲元素...
炎黄两帝：
我国存储器芯片两大喜讯:一、技术突破，二、建厂
A+ A- 2018-08-29 05:06:56 9品极天下
现在中国已经是数据信息时代了，在这个网络时代里，无论是你应用手机、电脑、网络、通讯都是离不开一个重要的东西，那就是存储器。日前，传来两则惊人的喜讯，1.中国存储器研发获得重大突破，打破国外壁垒。2.我国第一个世界级的存储器芯片厂12月初动工。
一、【重大研发突破】中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在存储器材料研发上取得重大突破，宋志棠团队通过努力，以“ 钪”代替了世界通用的“锗”研发出"钪锑碲"新型存储材料。宋志棠表示，" 钪元素与碲元素可以形成稳定的八面体，这对实现高速、低功耗存储至关重要。基于"钪锑碲"材料的新型存储器可实现700皮秒的高速存储操作，循环使用寿命大于1000万次。”
"钪锑碲"新型材料的存储器，操作功耗较原通用材料("锗锑碲")降低了90%，且十年的数据保持力相当;通过进一步优化材料与微缩器件尺寸，其将给国产存储器综合性能带来大步提升。此外，随着近年各类电子设备的普及，使存储芯片的需求大增，也对其性能要求也不断提高，为此，各国专家都在努力研发存储芯片的制造材料。
而此次"钪锑碲"的成功研发，不单只是提升性能，对我国存储芯片信息安全的维护也起到重要的作用，因此，打破国际技术壁垒，拥有自主产权的"钪锑碲"其价值和意义都是非常重大的。
二、【我国第一个世界级芯片厂即12月开工】大家都知道中国大陆一直无力生产存储器芯片，这对于中国这个芯片需求大国是多么的尴尬，不过，这种尴尬很快就要结束了。由紫光参与投资总额达240亿美元的武汉存储器芯片厂(中国首个世界级存储器芯片厂)将于12月初动工。
紫光集团董事长赵伟国15日下午出席第三届世界互联网大会(联网之光博览会)透露称:“下个月也就是12月初，我们在武汉的投资240亿美元的芯片工厂，做存储芯片的工厂将开始动工。预计完工后，2020年月产能达30万片，2030年跃升至100万片，成世界级存储器生产基地。也将一举改变中国在芯片生产方面的缺憾，也必将给中国相关行业带来极大的利好。
另外，赵伟国还称，在整个中国互联网产业领域，紫光其实是背后的技术和产品提供者。包括大陆三大移动通讯业者以及BAT(百度、阿里巴巴、腾讯)等互联网企业，所使用的芯片、交换器、路由器、服务器、储存系统等，有相当大一部份都是由紫光所提供。
其实，这些年来中国在存储芯片方面的需求是与日俱增，随着中国经济的繁荣，网络技术的发展，无论是日常生活中的电子产品应用，还是网络通讯方面都用量巨大，而靠进口的方式让大把大把的RMB被赚走这对如今中国这个网络大国应该是打击不小。就说中国手机巨头华为，自己的芯片却要在台湾(台积电)生产，【尽管台湾也是中国的】但其实还是很受伤的......
我国存储器芯片两大喜讯:一、技术突破，二、建厂
A+ A- 2018-08-29 05:06:56 9品极天下
现在中国已经是数据信息时代了，在这个网络时代里，无论是你应用手机、电脑、网络、通讯都是离不开一个重要的东西，那就是存储器。日前，传来两则惊人的喜讯，1.中国存储器研发获得重大突破，打破国外壁垒。2.我国第一个世界级的存储器芯片厂12月初动工。
一、【重大研发突破】中国科学院上海微系统与信息技术研究所宋志棠团队近期在存储器材料研发上取得重大突破，宋志棠团队通过努力，以“ 钪”代替了世界通用的“锗”研发出"钪锑碲"新型存储材料。宋志棠表示，" 钪元素与碲元素...